標(biāo)準(zhǔn)列表（部分）
《 GB/T 44004-2024 納米技術(shù) 有機(jī)晶體管和材料表征試驗(yàn)方法 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：納米技術(shù) 有機(jī)晶體管和材料表征試驗(yàn)方法
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 44004-2024
- 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：L90
- 發(fā)布日期：2024-04-25
- 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：07.030
- 實(shí)施日期：2024-11-01
- 技術(shù)歸口：全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：
- 主管部門：中國(guó)科學(xué)院
- 標(biāo)準(zhǔn)分類：數(shù)學(xué)、自然科學(xué)物理學(xué)、化學(xué)
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《納米技術(shù) 有機(jī)晶體管和材料表征試驗(yàn)方法》由TC279（全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)）歸口，主管部門為中國(guó)科學(xué)院。
本文件描述了一種表征有機(jī)晶體管的方法，包括測(cè)量技術(shù)、數(shù)據(jù)報(bào)告方法和表征過(guò)程的測(cè)試條件。
本文件適用于有機(jī)晶體管的電學(xué)特性測(cè)量。
《 SJ 21120-2016 高電子遷移率晶體管用半絕緣砷化鎵拋光片規(guī)范 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：高電子遷移率晶體管用半絕緣砷化鎵拋光片規(guī)范
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 21120-2016
- 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：L40
- 發(fā)布日期：2016-01-19
- 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：25.220
- 實(shí)施日期：2016-03-01
- 技術(shù)歸口：工業(yè)和信息化部電子第四研究院
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：
- 主管部門：
- 標(biāo)準(zhǔn)分類：機(jī)械制造SJ 電子
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
本規(guī)范規(guī)定了高電子遷移率晶體管用半絕緣砷化鎵拋光片的全部要求。本規(guī)范適用于高電子遷移率晶體管用直徑100mm半絕緣砷化鎵拋光片(以下簡(jiǎn)稱砷化鎵拋光片)。
《 SJ/T 11056-1996 電子元器件詳細(xì)規(guī)范 4CS1191型硅高頻雙絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（可供認(rèn)證用） 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：電子元器件詳細(xì)規(guī)范 4CS1191型硅高頻雙絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（可供認(rèn)證用）
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ/T 11056-1996
- 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：L44
- 發(fā)布日期：2010-02-25
- 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.020
- 實(shí)施日期：1997-01-01
- 技術(shù)歸口：
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：代替GB 10275-1988
- 主管部門：
- 標(biāo)準(zhǔn)分類：電子學(xué)SJ 電子
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
《 SJ 50033.40-1994 GT11型半導(dǎo)體硅NPN光敏晶體管詳細(xì)規(guī)范 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：GT11型半導(dǎo)體硅NPN光敏晶體管詳細(xì)規(guī)范
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 50033.40-1994
- 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：L54
- 發(fā)布日期：1994-09-30
- 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.260
- 實(shí)施日期：1994-12-01
- 技術(shù)歸口：
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：
- 主管部門：
- 標(biāo)準(zhǔn)分類：電子學(xué)SJ 電子
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
《 SJ 20063-1992 半導(dǎo)體分立器件.3DG213型NPN硅超高頻低噪聲雙差分對(duì)晶體管.詳細(xì)規(guī)范 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體分立器件.3DG213型NPN硅超高頻低噪聲雙差分對(duì)晶體管.詳細(xì)規(guī)范
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 20063-1992
- 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：L40
- 發(fā)布日期：1992-11-19
- 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.080
- 實(shí)施日期：1993-05-01
- 技術(shù)歸口：中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：
- 主管部門：
- 標(biāo)準(zhǔn)分類：電子學(xué)SJ 電子
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
《 QJ 2617-1994 微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管(微波FET)管殼驗(yàn)收規(guī)范 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管(微波FET)管殼驗(yàn)收規(guī)范
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：QJ 2617-1994
- 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：V25
- 發(fā)布日期：1994-03-26
- 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.080
- 實(shí)施日期：1994-10-01
- 技術(shù)歸口：
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：
- 主管部門：
- 標(biāo)準(zhǔn)分類：電子學(xué)QJ 航天
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
《 QJ 2567-1993 3DK50型NPN硅功率開(kāi)關(guān).晶體管詳細(xì)規(guī)范 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：3DK50型NPN硅功率開(kāi)關(guān).晶體管詳細(xì)規(guī)范
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：QJ 2567-1993
- 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：V25
- 發(fā)布日期：1993-03-30
- 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.080
- 實(shí)施日期：1993-10-01
- 技術(shù)歸口：
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：
- 主管部門：
- 標(biāo)準(zhǔn)分類：電子學(xué)QJ 航天
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
本規(guī)范規(guī)定了3DK50A~Ⅰ型NPN硅功率開(kāi)關(guān)晶體管(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求。本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。
《 QJ 2568-1993 CS4416A型硅N溝道場(chǎng)效應(yīng).晶體管詳細(xì)規(guī)范 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：CS4416A型硅N溝道場(chǎng)效應(yīng).晶體管詳細(xì)規(guī)范
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：QJ 2568-1993
- 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：V25
- 發(fā)布日期：1993-03-30
- 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.080
- 實(shí)施日期：1993-10-01
- 技術(shù)歸口：
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：
- 主管部門：
- 標(biāo)準(zhǔn)分類：電子學(xué)QJ 航天
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
本規(guī)范規(guī)定了CS4416A型硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求。本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。
《 GB/T 15651.7-2024 半導(dǎo)體器件 第5-7部分：光電子器件 光電二極管和光電晶體管 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體器件 第5-7部分：光電子器件 光電二極管和光電晶體管
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 15651.7-2024
- 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：L53
- 發(fā)布日期：2024-03-15
- 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.260
- 實(shí)施日期：2024-07-01
- 技術(shù)歸口：工業(yè)和信息化部（電子）
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：
- 主管部門：工業(yè)和信息化部（電子）
- 標(biāo)準(zhǔn)分類：電子學(xué)光電子學(xué)、激光設(shè)備
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 第5-7部分：光電子器件 光電二極管和光電晶體管》由339-1（工業(yè)和信息化部（電子））歸口，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。
本文件規(guī)定了光電二極管（以下簡(jiǎn)稱“PDs”）和光電晶體管（以下簡(jiǎn)稱“PTs”）的術(shù)語(yǔ)、基本額定值和特性以及測(cè)試方法。本文件適用于光電二極管和光電晶體管。
《 T/CASAS 005-2022 用于硬開(kāi)關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：用于硬開(kāi)關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：T/CASAS 005-2022
- 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：/C398
- 發(fā)布日期：2022-09-16
- 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.080.01
- 實(shí)施日期：2022-09-16
- 團(tuán)體名稱：北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
- 標(biāo)準(zhǔn)分類：電子學(xué)C 制造業(yè)
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
本文件規(guī)定了用于硬開(kāi)關(guān)切換電路的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法
本文件適用于進(jìn)行GaNHEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景
可應(yīng)用于以下器件：a)GaN增強(qiáng)型和耗盡型分立電力電子器件；b)GaN集成功率電路；c)以上的晶圓級(jí)及封裝級(jí)產(chǎn)品
本文件規(guī)定了用于硬開(kāi)關(guān)切換電路的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法。本文件適用于進(jìn)行GaNHEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景?？蓱?yīng)用于以下器件：a) GaN增強(qiáng)型和耗盡型分立電力電子器件；b) GaN集成功率電路；c) 以上的晶圓級(jí)及封裝級(jí)產(chǎn)品。
《 JJF(電子)0077-2021 晶體管特征頻率測(cè)試儀校準(zhǔn)規(guī)范 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：晶體管特征頻率測(cè)試儀校準(zhǔn)規(guī)范
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：JJF(電子)0077-2021
- 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
- 發(fā)布日期：2021-12-02
- 歸口單位
- 實(shí)施日期：2021-12-02
- 發(fā)布部門：國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：
- 標(biāo)準(zhǔn)類別：計(jì)量檢定規(guī)程
- 文件格式：紙質(zhì)版或者PDF電子版（用Acrobat Reader打開(kāi)）或Word版本doc格式
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
本本規(guī)范適用于晶體管特征頻率測(cè)試儀的校準(zhǔn)。晶體管特征頻率FT參數(shù)定義為共射極輸出交短路電流放大倍數(shù)|Β|隨頻率增加而下降到1時(shí)的工作頻率,反映了晶體管共發(fā)射輸出具有電流放大作用的頻率極限,是晶體管的一個(gè)重要頻率特性參數(shù)。晶體管特征頻率測(cè)試儀是晶體管特征頻率FT參數(shù)測(cè)試的專用儀器,采用“帶寬—增益乘積”的原理進(jìn)行設(shè)計(jì),主要由施加高頻信號(hào)、偏置電壓源、IB電流源、IC電流源和測(cè)量顯示單元等部分組成,具有測(cè)量范圍寬,精度高、穩(wěn)定可靠、操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)。
《 JJF(電子) 31001-2006 雙級(jí)型晶體管開(kāi)關(guān)參數(shù)計(jì)量樣管校準(zhǔn)規(guī)范 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：雙級(jí)型晶體管開(kāi)關(guān)參數(shù)計(jì)量樣管校準(zhǔn)規(guī)范
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：JJF(電子) 31001-2006
- 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
- 發(fā)布日期：
- 歸口單位
- 實(shí)施日期：
- 發(fā)布部門：國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：
- 標(biāo)準(zhǔn)類別：計(jì)量檢定規(guī)程
- 文件格式：紙質(zhì)版或者PDF電子版（用Acrobat Reader打開(kāi)）或Word版本doc格式
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
《 JJG(浙) 4-1986 jt-1型晶體管特性圖求儀試行檢定規(guī)程 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：jt-1型晶體管特性圖求儀試行檢定規(guī)程
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：JJG(浙) 4-1986
- 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：已作廢
- 發(fā)布日期：
- 歸口單位
- 實(shí)施日期：
- 發(fā)布部門：國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：
- 標(biāo)準(zhǔn)類別：計(jì)量檢定規(guī)程
- 文件格式：紙質(zhì)版或者PDF電子版（用Acrobat Reader打開(kāi)）或Word版本doc格式
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
《 JJG(電子) 31013-2007 雙極型晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)檢定規(guī)程 》標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
- 標(biāo)準(zhǔn)名稱：雙極型晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)檢定規(guī)程
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：JJG(電子) 31013-2007
- 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
- 發(fā)布日期：
- 歸口單位
- 實(shí)施日期：
- 發(fā)布部門：國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局
- 代替標(biāo)準(zhǔn)：被JJF(電子)0001-2015代替
- 標(biāo)準(zhǔn)類別：計(jì)量檢定規(guī)程
- 文件格式：紙質(zhì)版或者PDF電子版（用Acrobat Reader打開(kāi)）或Word版本doc格式
- 內(nèi)容簡(jiǎn)介：
檢測(cè)資質(zhì)（部分）
北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所旗下實(shí)驗(yàn)室擁有CMA檢驗(yàn)檢測(cè)資質(zhì)證書(shū)以及CNAS證書(shū)和ISO證書(shū)以及高新技術(shù)企業(yè)證書(shū)和AAA級(jí)信用企業(yè)證書(shū)和山東省國(guó)防經(jīng)濟(jì)發(fā)展促進(jìn)會(huì)會(huì)員證書(shū)等多項(xiàng)榮譽(yù)資質(zhì)。
檢測(cè)優(yōu)勢(shì)
檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室（部分）
北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所旗下實(shí)驗(yàn)室擁有物理試驗(yàn)室、機(jī)械實(shí)驗(yàn)室、化學(xué)試驗(yàn)室、生物實(shí)驗(yàn)室以及微生物實(shí)驗(yàn)室等多個(gè)檢驗(yàn)檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室，為多行業(yè)的檢驗(yàn)檢測(cè)服務(wù)提供了堅(jiān)固的支撐，檢測(cè)儀器齊全，能滿足多行業(yè)客戶檢測(cè)需求。
合作客戶（部分）
檢測(cè)報(bào)告作用
1、可以幫助生產(chǎn)商識(shí)別產(chǎn)品的潛在問(wèn)題或缺陷，并及時(shí)改進(jìn)生產(chǎn)工藝，保障產(chǎn)品的品質(zhì)和安全性。
2、可以為生產(chǎn)商提供科學(xué)的數(shù)據(jù)，證明其產(chǎn)品符合國(guó)際、國(guó)家和地區(qū)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)定，從而增強(qiáng)產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
3、可以評(píng)估產(chǎn)品的質(zhì)量和安全性，確保產(chǎn)品能夠達(dá)到預(yù)期效果，同時(shí)減少潛在的健康和安全風(fēng)險(xiǎn)。
4、可以幫助生產(chǎn)商構(gòu)建品牌形象，提高品牌信譽(yù)度，并促進(jìn)產(chǎn)品的銷售和市場(chǎng)推廣。
5、可以確定性能和特性以及元素，例如力學(xué)性能、化學(xué)性質(zhì)、物理性能、熱學(xué)性能等，從而為產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和使用提供參考。
6、可以評(píng)估產(chǎn)品是否含有有毒有害成分，以及是否符合環(huán)保要求，從而保障產(chǎn)品的安全性。
檢測(cè)流程
1、中析研究所接受客戶委托，為客戶提供檢測(cè)服務(wù)
2、客戶可選擇寄送樣品或由我們的工程師進(jìn)行采樣，以確保樣品的準(zhǔn)確性和可靠性。
3、我們的工程師會(huì)對(duì)樣品進(jìn)行初步評(píng)估，并提供報(bào)價(jià)，以便客戶了解檢測(cè)成本。
4、雙方將就檢測(cè)項(xiàng)目進(jìn)行詳細(xì)溝通，并簽署保密協(xié)議，以保證客戶信息的保密性。在此基礎(chǔ)上，我們將進(jìn)行測(cè)試試驗(yàn).
5、在檢測(cè)過(guò)程中，我們將與客戶進(jìn)行密切溝通，以便隨時(shí)調(diào)整測(cè)試方案，確保測(cè)試進(jìn)度。
6、試驗(yàn)測(cè)試通常在7-15個(gè)工作日內(nèi)完成，具體時(shí)間根據(jù)樣品的類型和數(shù)量而定。
7、出具檢測(cè)樣品報(bào)告，以便客戶了解測(cè)試結(jié)果和檢測(cè)數(shù)據(jù)，為客戶提供有力的支持和幫助。
以上為晶體管檢測(cè),檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)的檢測(cè)內(nèi)容，如需更多內(nèi)容以及服務(wù)請(qǐng)聯(lián)系在線工程師。
